RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3660
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link