RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3660
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link