RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения памяти
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link