RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
5.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
54
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
5.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
4.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link