RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    60 left arrow 68
    Wokół strony 12% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    5 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,381.6 left arrow 1,702.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 68
  • Prędkość odczytu, GB/s
    5,082.2 left arrow 3,886.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,381.6 left arrow 1,702.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    925 left arrow 654

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Pamięć RAM