Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Wokół strony 32% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 11.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 41
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.7 left arrow 13.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 9.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1578 left arrow 2016
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania