RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
CPU
GPU
DISK
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比較する
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
総合得点
AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
67
周辺 -72% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
39
読み出し速度、GB/s
6.8
16.1
書き込み速度、GB/秒
3.6
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
998
2782
AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link